Galliumnitrid
| Galliumnitrid | |
 | |
| Systematiskt namn | Galliumnitrid |
|---|---|
| Kemisk formel | GaN |
| Molmassa | 83,73 g/mol |
| Utseende | Transparent |
| CAS-nummer | 25617-97-4 |
| Egenskaper | |
| Densitet | 6,15 g/cm³ |
| Smältpunkt | >2500 °C |
| SI-enheter & STP används om ej annat angivits | |
Galliumnitrid är ett III/V halvledarmaterial med ett direkt bandgap på 3,4 eV. Materialet har använts för lysdioder sedan 1990-talet. Det besitter egenskaper som hög värmekapacitet och hög värmeledningsförmåga. Transistorer av galliumnitrid kan användas vid högre temperaturer och spänningar än transistorer av galliumarsenid.
Se även
[redigera | redigera wikitext]Externa länkar
[redigera | redigera wikitext]
Wikimedia Commons har media som rör Galliumnitrid.
